Tehniskās problēmas, ar kurām saskaras LED mikroshēmas
Galvenās tehniskās grūtības, ar kurām saskaras LED mikroshēmas, īpaši augstas jaudas LED mikroshēmas, ir šādas:
Zema luminiscences efektivitāte
Lai gan dažādu ražotāju saražotās baltās gaismas LED gaismas efektivitāte ir sasniegusi vairāk nekā 100 lm / w, salīdzinot ar nelieliem LED mikroshēmām, baltās gaismas LED gaismas efektivitāte joprojām ir ļoti zema. Sakarā ar lielo LED mikroshēmu lielumu, kad gaisma pārvietojas ierīces iekšienē, gaisma šķērso ilgāk nekā mazās mikroshēmas, kas rada augstāku ierīces materiālu absorbcijas varbūtību, un liels gaismas daudzums ir ierobežots. uz ierīci un nevar izstarot, kā rezultātā samazinās gaismas izejas efektivitāte.
Inhomogēna strāvas difūzija
Lieljaudas LED mikroshēmām ir nepieciešama liela strāvas padeve (parasti 350 mA). Lai panāktu vienotu strāvas difūziju, saprātīga elektrodu struktūra būtu jāveido tā, lai strāva varētu vienmērīgi sadalīties P-slānī. Liela izmēra mikroshēmas dēļ lieljaudas LED mikroshēmām ir grūti panākt vienotu strāvas difūziju pie P-slāņa, kas izraisa strāvas uzkrāšanos zem elektroda. Pašreizējais sastrēguma efekts. Pašreizējās uzkrāšanās efekta dēļ, ti, strāva galvenokārt koncentrējas tieši zem elektroda, sānu izplešanās ir relatīvi neliela, un pašreizējais sadalījums ir ļoti nevienmērīgs, kā rezultātā vietējais strāvas blīvums ir pārāk augsts.
Fotoelektriskā raksturīgā nestabilitāte
Sakarā ar augstas jaudas LED mikroshēmu zemo gaismas intensitāti, iekšējās ierīces absorbē lielu gaismas daudzumu. Šīs absorbētās gaismas tiek pārveidotas siltuma enerģijā iekšējās ierīcēs, kā rezultātā palielinās LED mikroshēmu krustojuma temperatūra. Krustojuma temperatūras pieaugums ne tikai izraisīs vieglu sabrukumu, bet arī nopietni ietekmēs LED mikroshēmu dzīvi. Tajā pašā laikā temperatūras pieaugums liks mikroshēmas zilā viļņa virsotnei pāriet uz garu viļņa garumu (ti, sarkanā nobīde). Tas radīs nesakritību starp mikroshēmas gaismas starojuma viļņa garumu un fosfora ierosmes viļņa garumu, kā arī samazinās krāsu atveidi.
Industrializācijas pētījumu viegla efektivitāte ir daudz zemāka nekā laboratorijas pētniecībā un attīstībā.
Pašlaik galvenie LD mikroshēmu ražotāji pasaulē ir sasnieguši augstu laboratorijas pētījumu un attīstības līmeni, bet industrializācijas pētījumu līmenis joprojām ir zems. Galvenais iemesls ir tas, ka industrializācija ne tikai ņem vērā izmaksu pieprasījumu, bet arī ņem vērā ražošanas procesa sarežģītību un čipu ražu.
